Pokročilé zariadenia Efektívna výrobaktoré môžu byť podľa použitých polovodičových materiálov rozdelené na germádiové diódy (Ge tuby) a kremíkové diódy (Si trubice). Podľa jeho rôznych použití je možné ho rozdeliť na detektorovú diódu, usmerňovaciu diódu, stabilnú diódu, spínac diódu atď. Podľa jadrovej štruktúry sa dá rozdeliť na bodovú kontaktnú diódu, povrchovú kontaktnú diódu a planárnu diódu. Bodová kontaktná dióda je veľmi tenký drôtový tlak na povrchu polovodičovej oblátky, ktorý je jasný a čistý, s impulzným prúdom, dotýkal sa konca drôtu pevne sintrovaného spolu s čipom, tvoriacom pn spojenie. Z dôvodu bodového kontaktu je povolený iba malý prúd (nie viac ako niekoľko desiatok miliampérov), ktorý je vhodný pre vysokofrekvenčné obvody s malým prúdom, ako je napríklad detekcia rádiového signálu.
"Spojenie PN" povrchovej kontaktnej diódy je väčšie a umožňuje väčší prúd (niekoľko až niekoľko desiatok), ktorý sa používa hlavne na konverziu striedavého prúdu na jednosmerný obvod "usmerňovača".
Planárna dióda je druh špeciálnej kremíkovej diódy, ktorá môže nielen prechádzať veľkým prúdom, ale má aj stabilný a spoľahlivý výkon, ktorý sa používa v spínačech, pulzoch a vysokofrekvenčných obvodoch.
Ako fungujú diódy.
Kryštálová dióda je pn spojenie tvorené polovodičovým polovodičovým p-typom a polovodičovým polovodičom typu n, ktoré tvoria priestorovú nábojovú vrstvu na obidvoch stranách rozhrania a je postavené vlastné elektrické pole. Ak nie je žiadne externé napätie, driftový prúd spôsobený rozdielom koncentrácie nosiča medzi spojkou pn a vlastným elektrickým poľom sa rovná stavu elektrickej bilancie.
Keď je externé napätie posunuté, interakcia medzi vonkajším elektrickým poľom a vlastným elektrickým poľom zvyšuje difúzny prúd nosiča a spôsobuje dopredný prúd.
Pri odchýlke opačného napätia sa vonkajšie elektrické pole a samonastavené elektrické pole ďalej posilňujú a relatívny nasýtený prúd I0, ktorý je nezávislý od reverzného predpätia, je vytvorený v určitom rozsahu reverzného napätia.
Keď je spojená s dostatočne vysokým spätným napätím, intenzita elektrického poľa pn v vrstve priestorového náboja dosiahne kritickú hodnotu procesu multiplikácie nosiča a vytvorí veľký počet párov elektrónových otvorov, čo prinieslo veľkú reverznú hodnotu rozpadu prúdu, nazývanú fenomén rozpadu diódy.
Vodivosť diódy.
Najdôležitejšou vlastnosťou diódy je jednosmerná vodivosť. V obvode prúd môže prúdiť len z kladného pólu diódy, záporného odtoku. Predná a opačná charakteristika diód je demonštrovaná jednoduchými experimentmi.