Čo je zenerová dióda?

Zenerova dióda je napäťové referenčné zariadenie, ktoré využíva charakteristiky opačnej predsudku dotovanej kladnej zápornej (PN) križovatky, ktorá je vyrobená z pozitívnych (P) - typov a negatívnych (N) typov polovodičových materiálov. Zatiaľ čo normálna dióda má relatívne vysoké napätie reverzného rozpadu, Zenerová dióda má reverzné rozdelenie tak nízke ako 1,2 V jednosmerný prúd (VDC). Zenerova dióda , podobne ako normálna dióda , má pásik na označenie katódy alebo zápornej elektródy. V predpätí, kde je anóda pozitívna a katóda je záporná, Zenerova dióda funguje ako normálna dióda .

Pri normálnej dióde zostáva normálna dióda ako otvorený obvod pre širokú škálu napätia. Normálna dióda môže mať reverzné rozbité napätie okolo 160 voltov (V) a toto napätie je spoločná špičková hladina napätia 110 V striedavého prúdu (VAC). Zenerová dióda má oveľa nižšie reverzné napätie. Napríklad dióda Zener 6,8 V dosiahne poruchu a udrží prúd, ktorý jej umožňuje výkon. Rozptyl výkonu v dióde musí byť približne polovica menovitého výkonu diódy .

Zenerová dióda s výkonom 1 W umožní maximálne 0,147 ampérov (A). Je dobrým postupom umožniť, aby polovica menovitého výkonu bola nepretržite rozptýlená v zariadení; preto by sa prúd mal znížiť na polovicu na 0,0735 A alebo na 73,5 miliampérov (mA). Pri tomto prúde bude dióda 1 W-6,8 V len teplá. Treba poznamenať, že táto dióda by mohla poskytnúť približne 70 mA na externé zaťaženie pri 6,8 V. To robí túto diódu jednoduchým regulátorom napätia.

Zenerova dióda môže byť pripojená k zariadeniu na sledovanie napätia, ako je napájací obvod impulzov s negatívnymi pozitívnymi negatívmi (NPN) bipolárneho spojovacieho tranzistora (BJT). Predtým bol pozitívny výstup na katóde s obrátenou polaritou, takže katóda bude namiesto toho pripojená k základni NPJ BJT. Sledovateľ emitorov bude zaťažovať základné napätie a využívať jeho zisk na dodanie napätia žiariča, ktoré je takmer rovnaké ako základné napätie - to robí z neho emitor. Vysielač BJT bude sledovať napätie diódy znížené o približne 0,7 V silikónového poklesu napätia medzi základňou a žiaričom a výstup na výboji je asi 6,1 VDC. Ak je prenosová konštanta dopredného zosilnenia dopredného prúdu tranzistora 100, interakcia medzi diódou a tranzistorom prináša regulované napätie približne 6,1 VDC z približne 0 A do približne 6 A.